Ведущий специалист в отдел микроэлектроники и полупроводниковой техники

Дата размещения вакансии: 09.08.2026
Работодатель: ФГБУ ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Уровень зарплаты:
з/п не указана
Город:
Мытищи (Московская область)
улица Колпакова 2А
Требуемый опыт работы:
От 3 до 6 лет

«ВНИИР» является головной научно-исследовательской испытательной организацией Минпромторга России, выполняющей функции исследований в области электронной компонентной базы, а также научного обеспечения и межведомственной методической координации работ по созданию и проведению исследований (испытаний) изделий ЭКБ.

Обязанности:

  • Осуществление анализа применения изделий ЭКБ в образцах вооружения и специальной техники, содержащих в своем составе изделия микроэлектроники и полупроводниковой техники;
  • Осуществление анализа применения и возможности замены в радиоэлектронной аппаратуре изделий ЭКБ иностранного производства серийно выпускаемыми и разрабатываемыми отечественными изделиями микроэлектроники и полупроводниковой техники;
  • Осуществлении сбора информации, обобщения, анализа результатов, формирования предложений и экспертных оценок по НИОКР, направленных на создание изделий микроэлектроники и полупроводниковой техники, в том числе перспективных;
  • Анализ и мониторинг серийного производства изделий микроэлектроники и полупроводниковой техники, выпускаемых отечественными предприятиями;
  • Подготовка заключений и технических отчетов;
  • Участие в выполнении НИР и СЧ НИР;
  • Участие в сопровождении и приемке НИОКР.

Требования:

  • Высшее техническое образование (предпочтительные направления: Электроника, радиотехника и системы связи; Радиотехника; Конструирование и технология электронных средств; Электроника и наноэлектроника)
  • Опыт работы не менее 5 лет в релевантной должности в области радиоэлектроники и микроэлектроники;
  • Знание технических особенностей основных групп изделий ЭКБ, применяемых при комплектовании радиоэлектронной аппаратуры;
  • Понимание принципов функционирования, классификации и применения изделий микроэлектроники и полупроводниковой техники;
  • Знание основных характеристик и технологий производства изделий микроэлектроники и полупроводниковой техники
  • Представление о тенденциях развития, текущем состоянии и особенностях мирового и отечественного уровня микроэлектроники
  • Понимание основных процессов разработки, постановки на производство и серийного производства изделий ЭКБ на отечественных предприятиях;
  • Знание номенклатуры ЭКБ в части микроэлектроники и полупроводников.
  • Приветствуется знание английского языка (умение читать и понимать технические статьи);
  • Уверенный пользователь ПК, знание и владение офисными программами (Microsoft Word, Excel, Power Point и др)

Условия:

  • Оформление по ТК РФ, испытательный срок 3 мес.;
  • График работы 5/2: с 9.00 до 18.00, по пятницам до 16.45;
  • Социальный пакет согласно ТК РФ;
  • Институт расположен по адресу: г. Мытищи, ул. Колпакова 2А.