Ведущий инженер (разработки)

Дата размещения вакансии: 25.12.2024
Работодатель: Взлет, ГК
Уровень зарплаты:
от 100000 до 130000 RUR
Город:
Санкт-Петербург
улица Трефолева 2БМ
Требуемый опыт работы:
Более 6 лет

Обязанности:

  • Участие в разработках ультразвуковых расходомеров;
  • Участие в проведении научно-технических исследований по тематике ультразвуковых расходомеров;
  • Участие в исследовании ультразвуковых расходомеров, выпускаемых фирмой "Взлет" и сторонних производителей;
  • Участие в подготовке технических заданий на вновь разрабатываемые УЗ-расходомеры (формирование требований к электронной части расходомеров, к датчикам, к конструкции расходомера, к программному обеспечения нижнего и верхнего уровня);
  • Участие в проведении монтажных и пуско-наладочных работ УЗ-расходомеров на объектах заказчика (при необходимости);
  • Разработка схем функциональных УЗ-расходомеров;
  • Участие в разработке ТУ и ЭД на УЗ-расходомеры;
  • Участие в выставках, докладах, конференциях по тематике УЗ-расходомеры;
  • Подготовка ответов на запросы заказчиков;
  • Участие в контрольных сборках УЗ-расходомеров на производстве.

Требования:

  • Высшее техническое образование;
  • Опыт работы разработчиком ультразвуковых приборов (расходомеров, толщиномеров, уровнемеров и т.п.) от 4 лет;
  • Базовые знания технического английского;
  • Знания в области ультразвуковой расходометрии;
  • Знание методов обработки УЗ-сигнала;
  • Умение работать с измерительными приборами;
  • Уверенное владение офисными программами;
  • Умение писать простейшие скрипты;
  • Самостоятельность, активность, трудолюбие.

Условия:

  • Работа в крупной производственной компании – лидере рынка приборов учета и энергосберегающего оборудования;
  • Оформление и социальные гарантии в соответствии с ТК РФ;
  • График работы: 5/2, 8-ми часовой рабочий день, с 08:00 до 16:30;
  • Корпоративная развозка от ст. м. «Нарвская» корпоративным автобусом;
  • Льготное питание;
  • Повышение профессиональной квалификации в соответствии с планами индивидуального развития.