Ведущий инженер-технолог (эпитаксиальное оборудование)

Обязанности:

• Разработка технологии эпитаксии Si, SiGe, GaN;
• Изучение технологий эпитаксии SiGe и GaN, участие в проекте создания таких установок;
• Изучение отечественной и иностранной литературы по теме, написание обзоров литературы;
• Разработка ТД на эпитаксиальные процессы;
• Участие в запуске и настройке оборудования, постановке технологического процесса, сопровождении выпуска изделий.
• Разработка технологий PVD, CVD, PECVD, ICPECVD, ALD и др

Требования:

• Высшее профильное образование (электроника, микроэлектроника, наноэлектроника, физика полупроводников, оптоэлектроника и т.д);
• Опыт работы на эпитаксиальном оборудовании;
• Опыт разработки эпитаксиальных процессов (Si);
• Знание полупроводников A3B5 (III-N);
• Знание инфраструктуры и процессов полупроводникового производства;
• Базовые знания электротехники, микроэлектроники;
• Работа с сосудами под давлением;
• Знание правил безопасности и охраны труда при работе на эпитаксиальных установках;
• Желательно:
• Моделирование эпитаксиальных процессов полупроводников Si, A3B5 (III-N);
• Опыт разработки эпитаксиальных процессов SiGe, GaN;
• Работа на оборудовании PVD, CVD, PECVD, ICPECVD, ALD и др и отладка техпроцессов;
• Английский язык, чтение научных статей, перевод

Условия:

• Оформление согласно ТК РФ
• ДМС
• Частичная компенсация аренды жилья для иногородних сотрудников
• Обучение