улица Академика Валиева 6с2
Обязанности:
-
Участие в проектировании и разработке конструкций силовых полупроводниковых приборов MOSFET, SBD, JFET, IGBT.
-
Анализ результатов измерений параметров приборов и оптимизация их характеристик.
-
Подготовка и согласование конструкторской документации (КД, ТЗ, ТТ).
-
Участие в моделировании полупроводниковых приборов в системах автоматического проектирования (САПР).
-
Разработка технических заданий на изготовление фотошаблонов и контроль их выполнения.
-
Подготовка программ и методик измерений и испытаний полупроводниковых приборов.
-
Участие в создании научно-технических отчетов, патентов и других результатов интеллектуальной деятельности.
-
Взаимодействие с подразделениями компании и внешними партнерами для реализации проектов.
Требования:
-
Высшее образование в области микроэлектроники, электроники или смежных направлений.
-
Опыт работы в проектировании полупроводниковых приборов от 3 лет.
-
Глубокие знания физических основ работы и конструкций полупроводниковых приборов.
-
Опыт моделирования в САПР (например, TCAD, Silvaco, Sentaurus).
Знание стандартов оформления конструкторской документации.
Условия:
- Возможность участия в высокотехнологичных проектах, связанных с разработкой и производством мощных высоковольтных полупроводниковых приборов.
- Стабильную заработную плату и социальный пакет (ДМС, корпоративное обучение, программы развития).
- Современное оборудование и комфортные условия труда.
- Возможность профессионального роста и развития в инновационной среде.
